Transistor GaNFET

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Caratteristiche tecniche:

  • Elevata efficienza di conversione
  • Switching ad alta frequenza
  • Gate charge ultra-ridotta
  • Recovery charge nulla (QRR = 0)
  • Elevata densità di potenza
  • Immunità alle radiazioni TID, HDR e LDR
  • Package ermetico compatto
  • Elevata affidabilità per missioni spaziali
  • Ideale per sistemi avionici e convertitori DC/DC Space Grade
  • Adatto ad applicazioni LEO, GEO e New Space
  • Progettato per ambienti mission-critical spaziali

Transistor GaNFET

Semiconduttore GaNFET Rad-Hard

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